英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC

型號：	BSM300GA170DLC
報價：	888

分享到：

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

咨詢訂購

詳細(xì)資料：

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC

英飛凌單管IGBT模塊BSM300GA170DLC

集電極—射極擊穿電壓: 1700 V

集電極—射極飽和電壓: 3.2 V

集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 300 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )

集電極—發(fā)射極zui大電壓 VCEO: 1200 V

柵極/發(fā)射極zui大電壓: 20 V

zui大工作溫度: + 125℃

zui小工作溫度: - 40℃

BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細(xì)地址：
補(bǔ)充說明：
驗證碼：

請輸入計算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

日韩欧美一级精品在线观看,久久久亚洲av午夜精品,亚洲三级视频一区二区三区,日本欧美在线免费观看搞黄

北京京誠宏泰科技有限公司

英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC

詳細(xì)資料：

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細(xì)地址：

補(bǔ)充說明：

驗證碼：