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  • FF200R12KS4英飛凌高頻IGBT模塊FF200R12KS4

    英飛凌高頻IGBT模塊FF200R12KS4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FF300R17KE3英飛凌1700V-IGBT模塊FF300R17KE3

    英飛凌1700V-IGBT模塊FF300R17KE3

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FP100R12KT4英飛凌IGBT模塊FP100R12KT4

    英飛凌IGBT模塊FP100R12KT4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FZ3600R17KE3英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3大功率IGBT

    英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3大功率IGBT

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FD800R33KF2C-K英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K

    英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FZ1500R33HE3英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3

    英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3

    3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FD400R12KE3英飛凌IGBT斬波模塊FD400R12KE3

    英飛凌IGBT斬波模塊FD400R12KE3

    直流斬波器又稱為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用,如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ1200R12HP4英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4

    英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FD800R33KF2英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C

    英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C

    直流斬波器又稱為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用,如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ2400R12KE3英飛凌大功率IGBT模塊FZ2400R12KE3

    英飛凌大功率IGBT模塊FZ2400R12KE3

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FD400R16KF4英飛凌IGBT斬波模塊FD400R16KF4

    英飛凌IGBT斬波模塊FD400R16KF4

    直流斬波器又稱為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用,如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ1200R16KF4_S1英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1

    英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FZ1000R12KF4英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4

    英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FZ1800R16KF4代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4

    代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • FF600R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4

    英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4

    英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4 北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管 電容

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  • 英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4

    英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4

    英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4 北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊可控硅晶閘管 電容

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  • 英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

    英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

    英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3 北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅 晶閘管 電容

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  • 英飛凌FF450R12ME4英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4

    英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4

    主要代理及經(jīng)銷德國infneon(英飛凌);EUPEC(優(yōu)派克)、西門康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá),美國IR,瑞士ABB,英國西瑪,西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、BUSSMANN快熔

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  • 英飛凌FF450R06ME3英飛凌IGBT模塊FF450R06ME3

    英飛凌IGBT模塊FF450R06ME3

    專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國infneon(英飛凌);EUPEC(優(yōu)派克)、西門康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá),美國IR,瑞士ABB,英國西瑪,西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭

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  • FF450R12ME3英飛凌IGBT模塊FF450R12ME3

    英飛凌IGBT模塊FF450R12ME3

    專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國infneon(英飛凌);EUPEC(優(yōu)派克)、西門康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá),美國IR,瑞士ABB,英國西瑪,西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭

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